Potencia y Eficiencia a Nuevo Nivel: Descubre los MOSFETs Super Junction de 600V, 4ta Generación
TAIWAN SEMICONDUCTORS
Presentamos los MOSFETs Super Junction de 600V, 4ta Generación de Taiwan Semiconductor
Diseñados para llevar la eficiencia y la densidad de potencia a un nivel superior, los nuevos MOSFETs Super Junction de 600V NESeries de 4ta generación son la solución ideal para aplicaciones de alto voltaje. Gracias a su avanzada tecnología, ofrecen una resistencia en estado de conducción (Ron) excepcionalmente baja y una capacitancia de carga de puerta(Qg) reducida, lo que se traduce en un rendimiento mejorado en comparación con alternativas tradicionales.
Ventajasdestacadas:
- Tecnología Super Junction de 4ta Generación: Rendimiento superior en aplicaciones de alto voltaje.
- Baja capacitancia de carga de puerta (Qg): Menor consumo de energía y mayor eficiencia.
- Excelente rendimiento de conmutación: Con una conmutación más rápida y precisa.
- Alta inmunidad al ruido de puerta: Ideal para entornos de alta interferencia electromagnética.
Aplicacionesclave:
- Conversión de energía en interruptores offline
- Fuentes de alimentación para servidores
- Controladores de motores HV
- Sistemas UPS
- Controles de iluminación
Con una mejora del 30% en el FOM (Figura de Mérito:Ron * Qg), estos MOSFETs Super Junction proporcionan un valor excepcionalpara una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje. ¡Optimiza tus sistemas de potencia y alcanza el máximo rendimiento con los MOSFETs NE Series de 600V deTaiwan Semiconductor!
Potencia, eficiencia y confiabilidad: todo en uno.
